3D SiC

3D SiC

副標題

      基本半導體提供完整的設計和工藝方案,獨有的3D外延技術(3D SiC),能夠充分利用碳化硅的材料潛力,實現更高功率和更低損耗。通過掩埋摻雜柵極,在保持碳化硅高電壓性能的同時減低器件表面電場,極大的提高器件的可靠性。3D SiC技術與普通的碳化硅器件設計方案相比,可以實現更低的肖特基勢壘,和更高遷移率的MOSFET設計,進一步降低損耗30%以上,實現更高效的集成器件。

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