碳化硅功率器件
工藝制造服務
各電流電壓等級的標準及高溫應用 JBS二極管,平面、溝槽MOSFET,
10kV以上PiN二極管,各項性能指標達到國際領先水平。
可為客戶提供650V-10kV碳化硅二極管流片定制工藝服務,以及各類規格參數外延定制化服務,最大可達250微米。
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尊敬的各位客戶及合作伙伴:新年好!為積極配合國家關于新型冠狀病毒肺炎疫情的防控工作,確保公司員工及客戶的健康安全,根據《廣東省人民政府關于企業復工和學??奔淶耐ㄖ芬?,我公司決定將春節后復工時間延遲至2月10日(農歷正月十七 星期一)...

      深圳基本半導體有限公司作為第五完成單位,通過中國科學院提名2020年國家科技進步獎技術發明獎“高電流密度SiC電力電子器件關鍵技術及應用”。特進行公示,公示期:2020年1月2日-2020年1月9日。公示期內如對公示內容有異議...

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界

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