碳化硅肖特基二極管
產品詳情

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(4.9W/mK)使得功率半導體器件效率更高,運行速度更快,并且在設備的成本、體積和重量等方面都得到了降低?;景氳繼逄薊櫳ぬ鼗?,提供行業標準封裝,具有優越的性能和極高的工作效率。


碳化硅肖特基二極管.png


產品優勢


未標題-1-01.png未標題-1-02.png未標題-1-03.png未標題-1-04.png
零反向恢復抗浪涌電流能力強高溫反向漏電低雪崩耐量高


產品列表


產品類型

電流規格

TO-220

TO-247-3

TO-247-2

TO-257

TO-252-2

TO-263-2

650V

標準JBS

4A

B1D04065K




B1D04065EB1D04065F
6AB1D06065K


B1D06065EB1D06065F
8AB1D08065K


B1D08065EB1D08065F
10AB1D10065K



B1D10065F
15AB1D15065K




20AB1D20065KB1D20065HC



30A
B1D30065HC



40A
B1D40065HC



1200V標準JBS5AB1D05120K


B1D05120E
10AB1D10120KB1D10120HCB1D10120H
B1D10120E
15AB1D15120K




20AB1D20120KB1D20120HCB1D20120H


30A
B1D30120HC



40A
B1D40120HC



高溫JBS5A


B1D05120M

10A


B1D10120M

20A


B1D20120M

1700V標準JBS5AB1D05170K
B1D05170H


10A
B1D10170HCB1D10170H


20A
B1D20170HCB1D20170H


高溫JBS5A


B1D05170M

10A


B1D10170M

20A


B1D20170M



工藝制造服務
碳化硅功率器件
技術介紹
新聞動態
關于我們
深圳市南山區留學生創業大廈二期22樓
0755-22670439 [email protected]

關注微信公眾號
深圳基本半導體有限公司